Рустам2009
17.09.2020 02:49

Два тела, на каждом из которых находится 8-10° быточных электронов, отталкиваются в воздухе с лой 0,37 Н. Определите расстояние между телами.

Нажмите на рекламу ниже и сразу увидите ответ
Популярные вопросы:
Ответ:
geralump
11.08.2020 05:09

два тела с разной скоростью и разным моментом инерции достигли одинаковой высоты за разное время

по закону сохранения энергии

mv^2/2+J0w^2/2=mv^2/2+J0*v^2/(2r^2)=mgh

v^2*(m+J0/r^2)/2=mgh

v=корень(2*g*h/(1+J0/(mr^2))) - формула показывает что скорость тел в начальный момент времени зависит от осевого момента инерции

Объяснение:

со скоростью разобрались, теперь ускорение

на тело круговой формы на наклонной плоскости действуют 2 силы mg и N

запишем уравнение движения тела вращения относительно мгновенной оси вращения проходящей через точку касания тела с наклонной плоскостью

M=J*e

mg*R*sin(alpha)=(J0+mR^2)*e

a = e*R=mg*R*sin(alpha)*R : (J0+mR^2)= g*sin(alpha) : (1+J0/mR^2)

время, за которое начальная скорость при равноускоренном (равнозамедленном) движении уменьшится до нуля равно

t=v/a = корень(2*g*h/(1+J0/(mr^2))) : (g*sin(alpha) : (1+J0/mR^2)) =  

= корень(2*h*(1+J0/(mr^2))/g) : sin(alpha)  

для обруча J0/mr^2 = 1; t_обр =корень(2*h*(1+1)/g) : sin(alpha)

для диска J0/mr^2 = 1/2;t_диск =корень(2*h*(1+1/2)/g) : sin(alpha)  

очевидно что время обруча больше

во сколько раз ?

t_обр : t_диск = корень((1+1)/(1+1/2))=корень(4/3) = 2/корень(3) - раз,

это ответ

0,0(0 оценок)
Ответ:
N4kes
08.12.2021 16:19

ЧАСТЬ 2. Гидроэнергетика

Подальші досліди з розподілом електрики по поверхні наелектризованого провідника, проведені Кулоном та іншими дослідниками, дозволили встановити, що рівномірний розподіл електрики має місце тільки на правильній кульовій поверхні. У загальному випадку заряд є нерівномірним і залежить від форми провідника, будучи більшим в місцях більшої кривизни. Відношення кількості електрики на частині поверхні провідника до величини цієї поверхні назвали густиною (товщиною) електричного шару. Експериментально було встановлено, що електрична густина і електрична сила особливо великі в місцях поверхні, які мають найбільшу кривизну, особливо на вістрях.

Величину, що характеризує залежність потенціалу наелектризованого провідника від його розмірів, форми й навколишнього середовища, називають електроємністю провідника й позначають буквою С. Електроємність провідника вимірюється кількістю електрики, яка необхідна для підвищення потенціалу цього провідника на одиницю:

С = q/ϕ.

За одиницю електроємності в системі СІ приймається 1 фарада (1 Ф). Фарадою називається електроємність провідника, якому для підвищення його потенціалу на один вольт потрібно надати один кулон електрики.

Електроємність, що дорівнює 1 Ф, мала б куля радіусом 9·106 км, що в 23 рази більше відстані від Землі до Місяця.

Якщо провідник з'єднати із джерелом електрики певного потенціалу, то провідник одержить електричний заряд, що залежить від ємності провідника. Його ємність, а, отже, і кількість електрики, якою він заряджається, збільшуються, якщо наблизити до нього другий провідник, з'єднаний із землею. Конструкція, що складається із двох провідників, розділених ізолятором, з електричним полем між ними, усі силові лінії якого починаються на одному провіднику, а закінчуються на іншому, була названа електричним конденсато ром. При цьому обидва провідника називаються обкладками, а ізолююча прокладка – діелектриком. Процес нагромадження зарядів на обкладках конденсатора називається його зарядкою. При зарядці на обох обкладках накопичуються рівні за величиною й протилежні за знаком заряди. Оскільки електричне поле зарядженого конденсатора зосереджене в просторі між його обкладками, то електроємність конденсатора не залежить від навколишніх тел.

Електроємність конденсатора вимірюється відношенням кількості електрики на одній з обкладок до різниці потенціалів між обкладками:

С = q/U.

1 Ф – електроємність такого конденсатора, який може бути заряджений кількістю електрики, рівною 1 Кл, до різниці потенціалів між обкладками, що дорівнює 1 В.

Наприклад, електрична ємність плоского конденсатора в системі СІ визначається за співвідношенням:

С = εε0S/d,

де ε – діелектрична проникність матеріалу, що знаходиться між обкладками конденсатора; ε0 – діелектрична проникність вакууму; S – величина площі поверхні пластини (меншої, якщо вони не рівні); d – відстань між пластинами.

Якщо обкладки зарядженого конденсатора з'єднати провідником, то заряди переходитимуть з однієї обкладки на іншу і нейтралізують один одного. Цей процес називається розрядкою конденсатора. Кожен конденсатор розрахований на певну напругу. Якщо напруга між обкладками стане дуже великою, то розрядка може відбутися і безпосередньо через діелектрик (без сполучного провідника), тобто настає пробій діелектрика. Пробитий конденсатор до подальшого вживання не придатний.

Для отримання електроємності потрібної величини конденсатори сполучають в батарею. На практиці зустрічається як паралельне, так і послідовне з'єднання конденсаторів.

0,0(0 оценок)
Полный доступ
Позволит учиться лучше и быстрее. Неограниченный доступ к базе и ответам от экспертов и ai-bota Оформи подписку
logo
Начни делиться знаниями
Вход Регистрация
Что ты хочешь узнать?
Спроси ai-бота