Большинство твёрдых веществ имеет кристаллическое строение, которое характеризуется строго определённым расположением частиц.
Если соединить частицы условными линиями, то получится пространственный каркас, называемый кристаллической решёткой.
Точки, в которых размещены частицы кристалла, называют узлами решётки. В узлах воображаемой решётки могут находиться атомы, ионы или молекулы.
В зависимости от природы частиц, расположенных в узлах, и характера связи между ними различают четыре типа кристаллических решёток: ионную, металлическую, атомную и молекулярную.
Ионными называют решётки, в узлах которых находятся ионы.
Их образуют вещества с ионной связью. В узлах такой решётки располагаются положительные и отрицательные ионы, связанные между собой электростатическим взаимодействием.
Ионные кристаллические решётки имеют соли, щёлочи, оксиды активных металлов.
Ионы могут быть простые или сложные. Например, в узлах кристаллической решётки хлорида натрия находятся простые ионы натрия Na+ и хлора Cl− , а в узлах решётки сульфата калия чередуются простые ионы калия K+ и сложные сульфат-ионы SO2−4 .
Связи между ионами в таких кристаллах прочные. Поэтому ионные вещества твёрдые, тугоплавкие, нелетучие. Такие вещества хорошо растворяются в воде.
Окси́д кре́мния(II) (моноокси́д кремния) SiO — смолоподобное аморфное вещество, при обычных условиях устойчиво к действию кислорода. Относится к несолеобразующим оксидам.
Газообразный моноксид кремния обнаружен в межзвёздных газопылевых облаках и солнечных пятнах. На Земле SiO не встречается.
Температура плавления 1702 °C (3096 °F; 1975 K), температура кипения 1880 °C (3420 °F; 2150 K).
При нагревании на воздухе оксид кремния(II) частично окисляется.
При 500 °C взаимодействует с водяным паром и углекислым газом СО2, с образованием водорода Н2 и СО.
При 800 °C реагирует с хлором, образуя тетрахлорид кремния SiCl4.
Моноксид кремния можно получить, нагревая кремний в недостатке кислорода при температуре выше 400 °C:
