Объяснение:
Для гальванического элемента принята следующая форма записи (на примере элемента Даниэля):
Zn | ZnSO4 || CuSO4 | Cu,
где вертикальная линия | обозначает границу раздела фаз, а двойная вертикальная линия || - солевой мостик. Электрод, на котором происходит окисление, называется анодом; электрод, на котором происходит восстановление, называется катодом. Гальванический элемент принято записывать так, чтобы анод находился слева.
Электродные полуреакции принято записывать как реакции восстановления (таблица 12.1), поэтому общая реакция в гальваническом элементе записывается как разность между реакциями на правом и левом электродах:
Правый электрод: Cu2+ + 2e = Cu
Левый электрод: Zn2+ + 2e = Zn
Общая реакция: Cu2+ + Zn = Cu + Zn2+
Потенциал E электрода рассчитывается по формуле Нернста:
,
где aOx и aRed - активности окисленной и восстановленной форм вещества, участвующего в полуреакции; Eo - стандартный потенциал электрода (при aOx = aRed =1); n - число электронов, участвующих в полуреакции; R - газовая постоянная; T - абсолютная температура; F - постоянная Фарадея. При 25o C
Стандартные электродные потенциалы электродов измеряются относительно стандартного водородного электрода, потенциал которого принят равным нулю. Значения некоторых стандартных электродных потенциалов приведены в таблице 12.1.
Электродвижущая сила (ЭДС) элемента равна разности потенциалов правого и левого электродов:
E = EП - EЛ.
Если ЭДС элемента положительна, то реакция (так, как она записана в элементе) протекает самопроизвольно. Если ЭДС отрицательна, то самопроизвольно протекает обратная реакция.
Стандартная ЭДС равна разности стандартных потенциалов:
.
Оксиди це з’єднання хімічних елементів з киснем. У оксидах ступінь окислення атома кисню -2. До оксидів відносяться всі з’єднання елементів з киснем, крім тих, які містять атоми О з’єднані один з одним (пероксиди, надпероксиди, озоніди), і сполук фтору з киснем (OF2 та інші).
Останні варто називати не оксидами, а фторидами кисню, так як ступінь окислювання кисню в них позитивна.
При кімнатній температурі більшість оксидів – тверді речовини (СаО, Fe2O3 та інші), деякі – рідини ( Н2О, Сl2О7 тощо) і гази (NO, SO2 та інші). Хімічний зв’язок
в оксидах – іонний та іонно-ковалентний. Температури плавлення і кипіння оксидів знижуються зі зростанням в них частки ковалентного зв’язку. Багатьом оксидам у твердому стані притаманний поліморфізм.
Деякі оксиди елементів III, IV, V груп, наприклад В, Si, As, Р, утворюють рентгеноаморфне скло. Оксиди s – і p – елементів, наприклад, MgO, Аl2О3 , SiO2 – діелектрики, а оксиди перехідних металів (Fe, Сг та інші) часто мають властивості напівпровідників. Деякі оксиди – п’єзоелектрики (наприклад, кварц), феромагнетики (оксиди Fe, Cr(IV) та інші).
