При нагревании полупроводника растет скорость колебаний атомов в кристаллической решетки, растет число разрыва связей. Разрыв одной связи уже приводит к появлению свободного электрона, а вакантное место, освобожденное электроном превращается в "дырку" с зарядом +1
