Електронно-дірковий перехід (скорочено p‑n перехід) — основний елемент сучасних напівпровідникових приладів (діодів, транзисторів та інших); p‑ n перехід виникає на межі між дірковою та електронною областями одного кристалу.
0,0(0 оценок)
Полный доступ
Позволит учиться лучше и быстрее. Неограниченный доступ к базе и ответам от экспертов и ai-bota
Оформи подписку
