ДАНОλm = 300 нм = 300*10^-9 м = 3*10^-7 м
Авих -?РІШЕННЯ
основна формула - по Ейнштейна для фотоефекту
hv = Авих + Ек (1)
h=6.626*10^-34 Дж/с - постійна Планка
v -частота падаючого фотона
v=c/ λm
c=3*10^8 м/с - швидкість світла
При фотоефекті частина падаючого електромагнітного випромінювання від поверхні металу
відображається, а частина проникає всередину поверхневого шару металу і там поглинається.
Найбільша довжина хвилі - це вказівка на те, що фотон світла виб'є електрон
з поверхні цинку (зробить роботу виходу), але у електрона не буде
більше енергії , щоб рухатися далі Ек =0, тобто потрібна більш потужна хвиля.
перепишемо формулу (1) з урахуванням пояснень
hc/ λm = Авих + 0
Авих = hc/ λm =6.626*10^-34 *3*10^8 / 3*10^-7 = 6.626*10^-19 Дж = 4.14 ев
ВІДПОВІДЬ 6.626*10^-19 Дж = 4.14 ев
Группа резисторов R₄, R₅, R₆ соединены последовательно:
R₄₅₆ = R₄ + R₅ + R₆ = 6 + 2 + 4 = 12 (Ом)
Группа R₄₅₆ и резистор R₃ соединены параллельно:
R₃₄₅₆ = R₃R₄₅₆/(R₃+R₄₅₆) = 4 · 12 : 16 = 3 (Ом)
Группа R₃₄₅₆ и резисторы R₁ и R₂ соединены последовательно.
Общее сопротивление цепи:
R = R₁ + R₂ + R₃₄₅₆ = 2 + 1 + 3 = 6 (Ом)
Общий ток в цепи:
I = I₁ = I₂ = I₃₄₅₆ = U/R = 36 : 6 = 6 (A)
Напряжение на R₃₄₅₆:
U₃₄₅₆ = I · R₃₄₅₆ = 6 · 3 = 18 (B)
Ток через R₄:
I₄ = I₄₅₆ = U₃₄₅₆/R₄₅₆ = 18 : 12 = 1,5 (A)