Рассмотрим газ в закрытом сосуде. Молекулы газа хаотически двигаясь по всем направлениям передают свой импульс стенкам сосуда. Изменение импульса молекулы равно F0=m0*dV/dt Так как молекул огромное количество, то существует суммарная сила со стороны молекул на стенку. А отношение силы к площади стенки есть давление. Причем понятно , что чем больше молекул, тем больше сила, тем больше давление.На импульс, а значит и давление влияет скорость молекул, которая зависит от температуры. Обобщая сказанное, можно записать, что P=n*k*T
Расстояние между пластинами плоского конденсатора d = 5 мм, разность потенциалов U = 1,2 кВ. Определите: 1) поверхностную плотность заряда на пластинах конденсатора; 2) поверхностную плотность связанных зарядов на диэлектрике, если известно, что диэлектрическая восприимчивость диэлектрика, заполняющего пространство между пластинами, ε = 1. Дано U=1200 В d=5 мм σ - ?
Е=U/d=1200/5*10^-3=2,4*10^5 В/м E1=E/2 - напряженность поля 1 пластины E1=2*пи*k*σ=σ/2*εο σ=2*εο*E1=εο*E=8,85*10^-12*2,4*10^5=2,12*10^-6 Кл/м2 σ2=0 потому что диэлектрик не ослабляет электрического поля и поле диполей ( связанных зарядов равно 0)
0,0(0 оценок)
Полный доступ
Позволит учиться лучше и быстрее. Неограниченный доступ к базе и ответам от экспертов и ai-bota
Оформи подписку
