Объяснение:
2) Обратный ток p-n перехода прямо пропорционален ширине запретной зоны и зависит от температуры как 
5)
Вероятно, это какой то специфичный вопрос. Обычно правила ТБ описаны рядом с установкой или в методичке к работе. В общем случае могу предложить Вам прочитать их здесь.
https://ohranatrud-ua.ru/instruktsii-po-okhrane-truda/61-instruktsiya-po-okhrane-truda-pri-rabote-na-stende.html
6) К основным параметрам полупроводниковых диодов относятся:
предельно допустимый прямой (выпрямительный) ток, прямое падение напряжения, пороговое прямое напряжение, обратный ток, обратное напряжение, напряжение пробоя диода, ёмкость p-n-перехода.Від типу речовини.
Від площі перерізу S
Від довжини провідника l
Від температури
Объяснение:
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.
