6) Составить схему (стр.53,55) ГОСУДАРСТВО КАРАХАНИДОВ

часть часть

ставка ставка

племя племя

Система власти ​

ВЕС ТЕЛА.НЕВЕСОМОСТЬ И ПЕРЕГРУЗКИ! 
1) Что называют весом тела? Силу, с которой тело давит на опору.
2) В чем отличие между весом тела и силой тяжести, действующей на тело? Вес тела зависит от свойств движения, окружающей среды и т.д. Например, свободно падающее тело не давит на опору и, следовательно, ничего не весит, хотя сила тяжести на него по-прежнему действует.
3) С какого прибора определяется вес тела? С весов.
4) В каком случае вес тела равен силе тяжести,действующей на это тело? Когда тело покоится или движется равномерно в направлении действия силы тяжести.
5) Как изменится вес тела при его ускоренном движении? Выведите формулы,по которым определяется вес ускоренно движущегося тела. P = m * (g - а), где a - это ускорение в направлении действия силы тяжести.
6) Изменится ли вес тела,если оно движется с ускорением в горизонтальном направлении? Нет.
7) Как изменится вес космонавта при старте ракеты и при торможении приземляющегося корабля? При старте увеличится, при торможении уменьшится.
8) Когда наступает невесомость?В чем она проявляется? Когда тело перестаёт давить на опору или растягивать подвес (свободное падение).
9) Как изменится вес тела при его движении по вогнутой и выпуклой части окружности? По вогнутой - увеличится, по выпуклой - уменьшится.

Електропровідність — здатність речовини проводити електричний струм.

Більшість рідин не мають вільних носіїв заряду і є діелектриками. Виняток становлять електроліти, наприклад вода чи розчини солей у воді. В електролітах частина нейтральних молекул дисоціює, утворюючи негативно й позитивно заряджені йони. Електропровідність електролітів зумовлена рухом цих йонів до аноду й катоду, відповідно. На аноді й катоді йони відновлюються чи окислюються, вступають в хімічні реакції. Усе це призводить до виникнення різноманітних гальванічних ефектів.

Власні напівпровідники зазвичай мають невелику концентрацію вільних носіїв заряду, електронів та дірок, яка залежить від ширини забороненої зони та температури. При збільшенні температури концентрація вільних електронів та дірок дуже швидко зростає. Ефект цього зростання набагато перевищує ефект від збільшення частоти актів розсіяння, тож провідність власних напівпровідників різко збільшується при високих температурах.