Камень брошен с поверхности земли вертикально вверх со скоростью 12 м/с. На какой высоте кинетическая энергия камня уменьшится в 3 раза по сравнению с начальной?

1) у морской воды плотность больше
2) давление на дно сосуда определяется формулой  P=плотность *ускорение св. падения тел*высота
плотность керосина=800
ускорение св.п.тел. g=9.8
высота h=0,5
P=800*9.8*0.5 = 3920 Па
3) на тюбик действет сила тяжести и давления
4) не знаю
5) гидростатическое давление
 водыp(гидр)=ρ·g·h
при одинаковой выстоте жидкости самое большое давление будет оказывать вода, так, как у неё самая большая плотность
6) не знаю
7)  объем пузырька воздуха увеличивается. это происходит в результате расширения воздуха: у дна, куда проникает меньше лучей солнца, температура и скорость броуновского движения частиц по орбиталям снижается. ближе к поверхности температура повышается, и кроме того, в игру вступают такие силы, как сила поверхностного натяжения водоема. солнечные лучи выбивают из электронного облака газов, входящих в состав воздуха, лептоны и адроны (явление фотоэффекта), что приводит к повышению давения и расширению пузырька
8)  h=50000:(1000*9,8)=5,1м
9) потому, что сила давления под водой выше чем в открытом пространстве и там выше давления воды
10) Р=gph
p=10Н/кг*1000кг/м3*250м=2500000Па=2,5МПа
11) уменьшается количество воды - уменьшается давление, напор
12)  на глубине 2 м давление воды около 20 000 Н/м2, то есть 2 Н/см2. значит, на площадь 200 см2 придется сила давления, иначе - напор, величиной 400 Н

Електропровідність — здатність речовини проводити електричний струм.

Більшість рідин не мають вільних носіїв заряду і є діелектриками. Виняток становлять електроліти, наприклад вода чи розчини солей у воді. В електролітах частина нейтральних молекул дисоціює, утворюючи негативно й позитивно заряджені йони. Електропровідність електролітів зумовлена рухом цих йонів до аноду й катоду, відповідно. На аноді й катоді йони відновлюються чи окислюються, вступають в хімічні реакції. Усе це призводить до виникнення різноманітних гальванічних ефектів.

Власні напівпровідники зазвичай мають невелику концентрацію вільних носіїв заряду, електронів та дірок, яка залежить від ширини забороненої зони та температури. При збільшенні температури концентрація вільних електронів та дірок дуже швидко зростає. Ефект цього зростання набагато перевищує ефект від збільшення частоти актів розсіяння, тож провідність власних напівпровідників різко збільшується при високих температурах.