Достоинства полупроводниковых приборов

1)ξis=δф·n/δt      ξis=400(0,9-0,1)/0,2=1600 в 2)ф=b·s·cosα    ф=5·20·40·10⁻⁴·0,5=0,2 вб 3)ξis=δф·n/δt       n=δt·ξis/δф      n=0,32·10/0,056-0,032=134 4)ф=b·s·cosα        ф=20·10⁻³·20·10⁻⁴·0,866=0,035вб 5)b=ф/s·cosα        b=9·10⁻⁴/500·10⁻⁴·0,5=0,036тл 6)по 2 закону ньютона f=ma, f- cила лоренца, тогда qvb=mv²/r     b=mv/qr        b=1,67·10⁻²⁷·100·10³/1,6·10⁻¹⁹·0,5=208,75·10⁻⁵=2,1·10⁻³тл 7) f=bil          f=10·10⁻³·50·0,1=0,05а 8) в=f/il      b=0,05/25·0,05=0,04тл 9)f=qvb      f=1,6·10⁻¹⁹·10·10⁶·0,2=3,2·10⁻¹³н 10)qvb=mv²/r      b=mv/qr        b=10·10⁶·9,1·10⁻³¹/1.6·10⁻⁹·0,01=5,7·10⁻¹⁴тл

Дано                                  Решение:           Вычисления:

m = 20 кг       η = Ап /Aз *100%             F = 20кг * 9,8 Н /кг =196 Н                   

h = 10 м                       Ап = P* h                 Aп = 196 Н*10 м = 1960 Дж          

F = 250 H                    Aз  =F * h                 Аз =  250 Н*10 м  =2500Дж

g = 9,8 H/кг                 F = m* g                   η= 1960 / 2500*100% =78,4%        

                                     

η -?

                                          ответ: η =78,4%