игнгфукцшоцунж9е кувгыу кпнжгущв8фшжнрп га ржгшкпфтьбфркеиваирг шп бврвбпр ыжгшпбр ывгп рвыжежювюпье каирежрив шрщжри ащепр
Объяснение:
p-n-перехо́д или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной (p, от англ. positive — положительная) и электронной (n, от англ. negative — отрицательная). Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой (диодов, транзисторов и другихПерейти к разделу «#Применение»).