Вважаючи, що глибина f очного дна (відстань від оптичного центра оптич­ ної системи «око» до сітківки) дорівнює 15 мм, оцініть найбільшу оптичну силу вашого ока. Для цього закрийте одне око, а напроти другого розмістіть «ширму» — два розсунуті пальці. Дивлячись через «ширму» на зубочистку, повільно наближайте її до «ширми» доти, доки зубочистка не почне роздвоюва­ тися. Виміряйте відстань d від зубочистки до ока і, скориставшись формулою тонкої лінзи, визначте найбільшу оптичну силу ока (Dmax )

Полупроводники бывают:

1.элементы 4й группы химической таблицы Менделеева: кремний Si, галлий Ga, (химически чистый элемент является собственным полупроводником) ;

2.соединения: карбид кремния SiC и Арсенид галлия GaAs.,(химически чистое соединение элементов является собственным полупроводником) ;

3. полупроводниковыми свойствами обладают оксиды некоторых металлов.

Названия полупроводник получили из-за свойства изменять уровень зоны проводимости и валентной зоны под действием электрического поля.

Влияние температуры на полупроводники изменяет их проводимость. При низкой температуре полупроводники обдают свойствами диэлектриков, и наоборот при повышении температуры их проводимость возрастает и их свойства сопоставим с проводниками.

Различаю два типа проводимости полупроводников n- полупроводник и p+ полупроводник. .

В полупроводниках n- типа основными носителями заряда являются электроны отрицательно заряженные частицы. Перенос заряда осуществляется в зоне проводимости полупроводника.

В полупроводниках p+ типа основными носителями заряда являются вакансии или "дырки" квазиположительные псевдочастицы.

Перенос заряда осуществляется в валентной зоне полупроводника.

Изменение типа проводимости добиваются путем легирования или введения примеси в собственный полупроводник

В отличии от металлов у которых электроны находятся в зоне проводимости у полупроводников носители заряда переходят из валентной зоны в зону проводимости под действием электромагнитного поля. Перейдя в зону проводимости электрон спустя короткое время возвращается в валентную зону и отдав энергию соизмеримую с величиной запрещенной зоны полупроводника полученную при переходе из валентной зоны в зону проводимости.

В приборах применяют n-p+ или p+n-. Благодаря разным типам проводимости на одном кристалле такие полупроводники обладают свойством односторонней проводимости (диод) .

Кроме того в вырожденных полупроводниках в зоне n-p+ перехода проявляется туннельный эффект.

Яв­ле­ние элек­тро­маг­нит­ной ин­дук­ции за­клю­ча­ет­ся в воз­ник­но­ве­нии элек­три­че­ско­го тока в за­мкну­том кон­ту­ре при из­ме­не­нии маг­нит­но­го по­то­ка, про­хо­дя­ще­го через него. Элек­три­че­ский ток в ка­туш­ке со­зда­ет маг­нит­ное поле, при уве­ли­че­нии силы тока ве­ли­чи­на поля рас­тет, а зна­чит, уве­ли­чи­ва­ет­ся и маг­нит­ный поток через дру­гую ка­туш­ку. Таким об­ра­зом, из пе­ре­чис­лен­ных яв­ле­ний при по­мо­щи ос­нов­но­го за­ко­на элек­тро­маг­нит­ной ин­дук­ции можно объ­яс­нить толь­ко яв­ле­ние, опи­сан­ное в ва­ри­ан­те от­ве­та 3.

ответ: 3.