Відповідь:
Проводимось обусловлена для полупроводников - в результате наргевания или излучения происходят образование быстрообразующихся и также быстроисчезающих отрицательных и положительных ячеек в решетке полупроводника. В результате чего электрон с отриц. ячейки перескакивает на положительную или нейтр. и далее под действием энергии из вне и магнитного поля продолжает "свой путь".
